深圳市华旋电子科技有限公司

采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低

漏电流、小结电容特性， 较大的动态范围，理想的电流线性；

主要应用于超高频微波、 VHF、 UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，

如卫星电视调谐器、 CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、 无线安

防报警器、 射频模块和光纤模块等产品；

PBR951 的 BVCEO=10V,适合使用于 DCVCE=3-6V 的产品上， PBR951B

的 BVCEO=18V,适合使用于 DCVCE=6-12V 的产品上；

封装形式(Package)：SOT23。

2. 封装形式和引脚定义：型号(Model) PBR951 PBR951B封装形式(Package) SOT23 SOT23本体激光标示(Marking) W2 W2+

3.极限参数（Tamb=25℃）：参数名称 符号 PBR951 PBR951B 单位集电极-基极电压 VCBO 20 30 V集电极-发射极电压 VCEO 10 18 V发射极-基极电压 VEBO 1.5 3.0 V集电极电流 ICM 100 100 mA耗散功率 PT 365 365 mW芯片结温 TJ 150 150 ℃储存温度 Tstg -65～+150 ℃

4. 电参数及规格（Tamb=25℃）：参数名称 符号 测试条件 值 典型值 值 单位集电极-基极击穿电压 BVCBO PBR951 - 20 VPBR951B - 30 -集电极-发射极击穿高压 BVCEOPBR951 - 10VPBR951B - 18 -集电极-发射极击穿电压 BVCEOPBR951 - 1.5 -VPBR951B - 3.0集电极截止电流 ICBO VCB=10V,IE=0 - - 0.1 μA直流电流放大系数 hFEVCE=6V,IC=5mA

VCE=6V,IC=15mA PBR951 50 1 100 00 250VCE=10V,IC=5mA

VCE=10V,IC=15mA PBR951B 50 100 100 250特征频率 fT VCE=8V,IC=30mA PBR951 8.5 9.0 - GHzVCE=10V,IC=20mA PBR951B 8.0 8.5反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz - 0.4 - pF

Emitter

SOT23