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深圳市中立信电子科技有限公司
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AFT20P140-4WNR3 射频管 NXP
AFT20P140-4WNR3
NXP（恩智浦）
OM-780-4
无铅环保型
直插式
单件包装
NPN型
24 W
65 V
500 mA
17.8 dB
相关产品
产品信息
AFT20P140-4WNR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
1880--2025 MHz, 24 W AVG., 28 V AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTORS
These AFT20P140-4WNR3 24 W symmetrical Doherty RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1880 to 2025 MHz.
Features AFT20P140-4WNR3
• Designed for wide instantaneous bandwidth applications
• Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
• Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
• Designed for digital predistortion error correction systems
• In tape and reel. R3 suffix = 250 units, 32 mm tape width, 13--inch reel.
型号: AFT20P140-4WNR3
制造商: NXP